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• 西安光学精密机械研究... [4]

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• OAI收割 [4]

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• 专利 [4]

发表日期

• 2016 [1]
• 2015 [1]
• 2009 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN104364983B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09 作者:  吉田真治;  持田笃范;  冈口贵大   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物半导体发光装置 专利  OAI收割 专利号: CN104364982A, 申请日期: 2015-02-18, 公开日期: 2015-02-18 作者:  萩野裕幸;  吉田真治;  森本廉   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2009295871A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17 作者:  折田 賢児;  吉田 真治;  長谷川 義晃;  持田 篤範   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光设备 专利  OAI收割 专利号: CN101944706A, 公开日期: 2011-01-12 作者:  吉田雄太;  狩野祥男;  横山隆浩;  中岛真;  高濑英治   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26