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ZnSe化合物半導体薄膜結晶の製造方法及び製造装置 专利  OAI收割
专利号: JP2875782B2, 申请日期: 1999-01-14, 公开日期: 1999-03-31
作者:  郭 立信;  安田 哲二;  三輪 司郎;  木村 康三;  八百 隆文
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