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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000138419A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
作者:  
中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一;  宮内 恵一;  加藤 佳秋
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半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000077777A, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14
作者:  
上島 研一;  宮内 恵一
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997167872A, 申请日期: 1997-06-24, 公开日期: 1997-06-24
作者:  
斉藤 和徳;  宮内 恵一
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
光電子装置 专利  OAI收割
专利号: JP1996116136A, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07
作者:  
高橋 健夫;  中村 康弘;  宮内 恵一
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13