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氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
作者:  
竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/26
氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
作者:  
竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2019/12/26