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• 西安光学精密机械研究... [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

• 2009 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP4298023B2, 申请日期: 2009-04-24, 公开日期: 2009-07-15 作者:  岩谷 素顕;  竹内 哲也;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24