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第III族氮化物半導體雷射元件、製作第III族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板 专利  OAI收割
专利号: TW201134040A, 申请日期: 2011-10-01, 公开日期: 2011-10-01
作者:  
善積祐介;  鹽谷陽平;  京野孝史;  住友隆道;  嵯峨宣弘
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