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MOCVD反应器中的组分输运与入口条件对GaN生长均匀性影响研究 会议论文  OAI收割
2016年传热传质学年会, 2016
作者:  
张之,吕振亚,尧青霞,方海生
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2017/05/24