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浏览/检索结果: 共40条，第1-10条 帮助

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离子吸附型稀土矿开采机理研究进展 期刊论文  OAI收割
中国稀土学报, 2023, 页码: 1-17
作者:  康石长;  王高锋;  凌博闻;  徐永进;  梁晓亮
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2024/03/01
地表碳核查技术规程 标准  OAI收割
标准类型: 国家标准, 起草者: 国家市场监督管理总局, 国家标准化管理委员会, 出版者: 全国地理信息标准化技术委员会(SAC/TC 230)、全国遥感技术标准化技术委员会(SAC/TC 327), 2023
作者:  岳天祥;  王宗;  王轶夫;  张兴赢;  王舒鹏
  |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2023/10/13
Influences of doping Ti nanoparticles on microstructure and properties of Sn58Bi solder 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 卷号: 30, 期号: 19, 页码: 17583-17590
作者:  Jiang, Nan;  Zhang, Liang;  Liu, Zhi-quan;  Sun, Lei;  Xiong, Ming-yue
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02
Microstructures and properties of SnAgCu lead-free solders bearing CuZnAl particles 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 卷号: 30, 期号: 16, 页码: 15054-15063
作者:  Zhao, Meng;  Zhang, Liang;  Liu, Zhi-quan;  Xiong, Ming-yue;  Sun, Lei
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02
Microstructures and properties of SnAgCu lead-free solders bearing CuZnAl particles 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 卷号: 30, 期号: 16, 页码: 15054-15063
作者:  Zhao, Meng;  Zhang, Liang;  Liu, Zhi-quan;  Xiong, Ming-yue;  Sun, Lei
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02
Experimental and numerical study on a novel dual-resonance wave energy converter with a built-in power take-off system 期刊论文  OAI收割
ENERGY, 2018, 卷号: 165, 页码: 1008-1020
作者:  Chen, Zhongfei;  Zhou, Binzhen;  Zhang, Liang;  Li, Can;  Zang, Jun
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/10/29
半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31
作者:  秦长亮;  徐强;  洪培真;  殷华湘;  尹海洲
  |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/03/26
Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文  OAI收割
Microelectronic Engineering, 2017
作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson
  |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/07/09
半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210260565.4, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2014-02-12
作者:  徐秋霞;  殷华湘;  秦长亮;  陈大鹏
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/04/03
Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文  OAI收割
Nanoscale Research Letters, 2017
作者:  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Henry Homayoun Radamson;  Zhao C(赵超);  Zhu HL(朱慧珑)
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/05