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半導體雷射裝置及其製造方法 专利  OAI收割
专利号: TW447185B, 申请日期: 2001-07-21, 公开日期: 2001-07-21
作者:  
島顯洋;  西口晴美;  本善史;  坂本善史
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半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999017267A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者:  
坂本 善史;  永井 豊
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
北京谱仪 期刊论文  OAI收割
高能物理与核物理, 1992, 期号: 9, 页码: 769-787+789
作者:  
丁慧良;  于传松
收藏  |  浏览/下载:472/0  |  提交时间:2015/12/21