中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2006 [2]
2004 [1]
2002 [1]
1999 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
光学拾波器单元的象散调整方法
专利
OAI收割
专利号: CN1252696C, 申请日期: 2006-04-19, 公开日期: 2006-04-19
作者:
桑原庆成
;
千田勇人
;
大内秀和
;
村上哲也
;
滝口仁史
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/12/24
半导体发光器件
专利
OAI收割
专利号: CN1248322C, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2006-03-29
作者:
仓桥孝尚
;
村上哲朗
;
大山尚一
;
中津弘志
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法
专利
OAI收割
专利号: CN1497746A, 申请日期: 2004-05-19, 公开日期: 2004-05-19
作者:
仓桥孝尚
;
中津弘志
;
村上哲朗
;
大山尚一
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:66/0
  |  
提交时间:2020/01/18
レーザダイオード出力制御装置
专利
OAI收割
专利号: JP2002016315A, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-01-18
作者:
永野 雄介
;
岩林 一也
;
中島 範智
;
伊藤 学
;
北尻 正広
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/12/31
半導体発光素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999074557A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者:
細羽 弘之
;
中村 淳一
;
中津 弘志
;
倉橋 孝尚
;
村上 哲朗
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2020/01/18