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机构
上海技术物理研究所 [7]
广州地球化学研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [7]
期刊论文 [1]
发表日期
2022 [1]
2014 [1]
2012 [2]
2011 [2]
2009 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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中国人群暴露参数研究进展
期刊论文
OAI收割
环境科学研究, 2022, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 2205-2215
作者:
杨彦[1,2,3]
;
张梦迪[1]
;
陈浩佳[1,3]
;
麦碧娴[4]
;
徐建[5]
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提交时间:2023/05/25
碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静
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提交时间:2015/01/06
碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法
专利
OAI收割
专利号: 200810204569.4, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者:
1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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提交时间:2013/01/14
碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法
专利
OAI收割
专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者:
1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣
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提交时间:2013/01/14
耐真空及高压有保护气体的可移动密封装置
专利
OAI收割
专利号: 200810204565.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:
1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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提交时间:2011/07/07
汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法
专利
OAI收割
专利号: 200810204564.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:
1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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提交时间:2011/07/07
用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
专利
OAI收割
专利号: 200810033251.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:
1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力
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提交时间:2011/07/06
硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟
专利
OAI收割
专利号: 200710039950.5, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:
1 徐庆庆 2魏彦锋 3陈新强4 赵守仁 5杨建荣
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提交时间:2011/07/06