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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 低転位密度の薄膜成長法 专利  OAI收割 专利号: JP1999310493A, 公开日期: 1999-11-09 作者:  西野 勇;  佐川 徹;  田中 理子;  小山 泰幸   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体層構造並びにその形成方法及び半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000049091A, 公开日期: 2000-02-18 作者:  小山 泰幸;  西野 勇;  佐川 徹;  田中 理子   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26