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窒化物半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2008235396A, 申请日期: 2008-10-02, 公开日期: 2008-10-02
作者:  
石田 昌宏;  古池 進;  上田 大助
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レーザモジュール 专利  OAI收割
专利号: JP2001052368A, 申请日期: 2001-02-23, 公开日期: 2001-02-23
作者:  
菅 健司;  竹内 俊夫;  石田 進
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
レーザモジュール 专利  OAI收割
专利号: JP2001053372A, 申请日期: 2001-02-23, 公开日期: 2001-02-23
作者:  
菅 健司;  竹内 俊夫;  石田 進
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13