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用于制造用于光电子半导体芯片的有源区的方法和光电子半导体芯片 专利  OAI收割
专利号: CN104396031B, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者:  
约阿希姆·赫特功;  托马斯·伦哈特;  马库斯·恩希费尔德;  简-菲利普·阿尔
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