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制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件 专利  OAI收割
专利号: CN101499415A, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 2009-08-05
作者:  
永井诚二;  山崎史郎;  佐藤峻之;  药师康英;  奥野浩司
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