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一种双光路脉冲激光在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法 专利  OAI收割
专利号: CN109830429A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
作者:  
陆珊珊;  刘宇伦;  莫观孔;  莫组康;  沈晓明
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2019/12/30