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Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101359667A, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04
作者:  
西井胜则;  井上薰;  松野年伸;  池田义人;  正户宏幸
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