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一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利  OAI收割
专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者:  
魏志鹏;  贾慧民;  唐吉龙;  牛守柱;  王登魁
  |  收藏  |  浏览/下载:79/0  |  提交时间:2019/12/24
一种窄线宽半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18
作者:  
魏志鹏;  唐吉龙;  贾慧民;  方铉;  房丹
  |  收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2020/01/13
豫西沙坡岭钼矿床辉钼矿Re-Os同位素年龄及其地质意义 期刊论文  OAI收割
矿物岩石, 2011, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 56-62
作者:  
刘军;  武广;  贾守民;  李忠权;  孙亚莉
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2012/07/04