中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
2017 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices
期刊论文
OAI收割
NANOMATERIALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 77
作者:
Zhe Ma
;
Yang Liu
;
Lingxiao Deng
;
Mingliang Zhang
;
Shuyuan Zhang
;
Jing Ma
;
Peishuai Song
;
Qing Liu
;
An Ji
;
Fuhua Yang
;
Xiaodong Wang
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2019/11/12
基于浓硼扩散工艺的硅纳米线热电结构研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
邓凌霄
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2017/06/01
硅纳米线
热电优值
塞贝克系数
热导率