机构

• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

• 2009 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101350333A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 作者:  长田英树;  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  京野孝史   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18