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10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文  OAI收割
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:  
Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶)
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材料基因组框架下的材料集成设计及信息平台初探 期刊论文  OAI收割
科学通报, 2013, 卷号: 58, 期号: 35, 页码: 3733
作者:  
王卓;  杨小渝;  郑宇飞;  雍岐龙;  苏航
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20CrMnTi钢钛、氮含量的计算机优化设计及其应用 期刊论文  OAI收割
机械工程材料, 2010, 卷号: 000, 期号: 012, 页码: 80
作者:  
雍兮;  曹存根;  张利平;  亓海全;  雍岐龙
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