机构

• 上海微系统与信息技术... [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究 期刊论文  OAI收割 传感器与微系统, 2010, 期号: 10 张圣; 焦继伟; 葛道晗; 顾佳晔; 严培力; 张颖 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/01/06 高K栅介质  HfO_2  Hf基高K栅介质材料  MOSFET器件