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• 上海技术物理研究所 [10]
• 新疆理化技术研究所 [1]

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• OAI收割 [11]

内容类型

• 专利 [10]
• 期刊论文 [1]

发表日期

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297 作者:  周书星1;  方仁凤1;  魏彦锋1;  陈传亮1;  曹文彧1   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2022/02/18 磷化铟高电子迁移率晶体管  二维电子气  电子束辐照  辐射加固   碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/01/06 一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: 201110355312.0, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1仇光寅2 魏彦锋3陈倩男4孙权志5 孙瑞赟 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/01/06 一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器 专利  OAI收割 专利号: 201110191846.4, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20 作者:  1 黄志明 2 陆金星 3 黄敬国 4 周 炜 5 沈学民 6 魏彦锋 7 侯 云 8 高艳卿 9 褚君浩   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/12/20 碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法 专利  OAI收割 专利号: 200810204569.4, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者:  1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/01/14 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 专利  OAI收割 专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者:  1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/01/14 耐真空及高压有保护气体的可移动密封装置 专利  OAI收割 专利号: 200810204565.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/07/07 汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法 专利  OAI收割 专利号: 200810204564.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/07/07 非接触式晶片厚度测量装置及方法 专利  OAI收割 专利号: 200910199928.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  1 陈晓静 2 魏彦锋 3 张传杰 4 徐庆庆 5 孙瑞赟   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/07/07 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 专利  OAI收割 专利号: 200810033251.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者:  1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2011/07/06