机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2019 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2019, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 698-701 作者:  Weijiang Ni ;   Xiaoliang Wang ;   Miaolin Xu;   Quan Wang ;   Chun Feng;   Honglin Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/07/30