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Effects of gamma irradiation on GaN high-electron-mobility transistors characterized by the voltage-transient method 期刊论文  OAI收割
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 95011
作者:  
Pan, Shijie;   Feng, Shiwei;   Li, Xuan;   Zheng, Xiang;   Lu, Xiaozhuang;   Hu, Chaoxu;   He, Xin;   Bai, Kun;   Zhou, Lixing;   Zhang, Yamin
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2022/05/18