机构

• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

• 2014 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: 201110362040.7, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1张可锋2林杏潮3张莉萍4 邵秀华5王仍6焦翠灵 7陆液 8杜云辰9宋坤骏10李向阳 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/01/06