机构

• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

• 2016 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法 专利  OAI收割 专利号: 201610893709.8, 申请日期: 2016-10-13, 公开日期: 2017-11-21 作者:  1胡伟达 2王建禄 3郑定山 4骆文锦 5王鹏 6陈效双 7陆卫   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/12/12