机构

• 上海技术物理研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 专利 [3]

发表日期

• 2014 [1]
• 2012 [1]
• 2011 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: 201210072930.9, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1胡伟达 2 王晓东 3 陈效双 4 陆卫 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/01/06 一种双沟道MOS-HEMT器件及制作方法 专利  OAI收割 专利号: 201010234859.0, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者:  1胡伟达 2 王晓东 3 陈效双 4 陆卫   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/01/14 一种双异质结MOS-HEMT器件 专利  OAI收割 专利号: 201010107441.3, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  1胡伟达 2 王林 3 王晓东 4 陈效双 5 陆卫   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/07/07