机构

• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

• 2011 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法 专利  OAI收割 专利号: 200910198960.2, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15 作者:  1 叶振华 2黄建3 祝海彬4 尹文婷5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军 8 何力   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/12/15