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机构
物理研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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共2条,第1-2条
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Effects of ZnO interlayers on thick GaN/Si film prepared by RF magnetron sputtering
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 258
Zhang, CG
;
Blan, LF
;
Chen, WD
;
Hsu, CC
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提交时间:2013/09/17
TEMPERATURE ALN INTERLAYER
DOPED GALLIUM NITRIDE
INFRARED ELECTROLUMINESCENCE
SI(111) SUBSTRATE
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
ER
EU
Effects of ZnO interlayers on thick GaN/Si film prepared by RF magnetron sputtering
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 258-262
Zhang CG
;
Blan LF
;
Chen WD
;
Hsu CC
收藏
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提交时间:2010/04/11
radio-frequency magnetron sputtering