机构

• 微电子研究所 [1]
• 广州能源研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2018 [1]
• 2012 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence on curvature induced stress to the flatband voltage and interface density of 4H-SiC MOS structure 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2018 作者:  Ling Sang;  Hengyu Xu;  Caiping Wan;  Jin-ping Ao   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/04/19 Aquation and dimerization of osmium(II) anticancer complexes: a density functional theory study 期刊论文  OAI收割 rsc advances, 2012, 卷号: 2, 期号: 2, 页码: 436-446 作者:  Wang, Hanlu;  De Yonker, Nathan J.;  Gao, Hui;  Tan, Caiping;  Zhang, Xiting 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/10/28