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物理研究所 [1]
高能物理研究所 [1]
采集方式
iSwitch采集 [1]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
1998 [1]
学科主题
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共2条,第1-2条
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国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 9, 页码: 896
Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H
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提交时间:2013/09/23
Branching fractions for psi(2s)->gamma eta ' and gamma eta
期刊论文
iSwitch采集
Physical review d, 1998, 卷号: 58, 期号: 9, 页码: 4
作者:
Bai, JZ
;
Bian, JG
;
Blum, I
;
Chai, ZW
;
Chen, GP
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提交时间:2019/04/23