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长春光学精密机械与物... [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2019 [2]
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共2条,第1-2条
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Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides
期刊论文
OAI收割
Science China-Technological Sciences, 2019, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 528-530
作者:
Y.Chen
;
Y.P.Jia
;
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
D.B.Li
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提交时间:2020/08/24
gan,layer,aln,Engineering,Materials Science
Nearly lattice-matched molybdenum disulfide/gallium nitride heterostructure enabling high-performance phototransistors
期刊论文
OAI收割
Photonics Research, 2019, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 311-317
作者:
X.K.Liu
;
Y.X.Chen
;
D.B.Li
;
S.W.Wang
;
C.C.Ting
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提交时间:2020/08/24
mos2 atomic layers,large-area,thin-layers,graphene,growth,optoelectronics,hysteresis,Optics