中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2013 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Interface-induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs Quantum Wells
期刊论文
OAI收割
physical review letters, Physical Review Letters, 2013, 2013, 卷号: 111, 111, 期号: 15, 页码: 6402, 6402
作者:
Dong Zhang, Wenkai Lou, Maosheng Miao, Shou-cheng Zhang, Kai Chang
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2014/03/26