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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利  OAI收割 专利号: US20060008941A1, 公开日期: 2006-01-12 作者:  HASKELL, BENJAMIN A.;  FINI, PAUL T.;  MATSUDA, SHIGEMASA;  CRAVEN, MICHAEL D.;  DENBAARS, STEVEN P.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利  OAI收割 专利号: WO2004061909A1, 公开日期: 2004-07-22 作者:  HASKELL, BENJAMIN, A.;  CRAVEN, MICHAEL, D.;  FINI, PAUL, T.;  DENBAARS, STEVEN, P.;  SPECK, JAMES, S.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26