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• 2012 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Experimental Demonstration of the High-Performance Floating-Body/Gate DRAM Cell for Embedded Memories 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 743-745 Wu, QQ; Chen, J; Lu, ZC; Zhou, ZM; Luo, JX; Chai, Z; Yu, T; Qiu, C; Li, L; Pang, A; Wang, X; Fossum, JG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/17 Capacitorless DRAM  overlap  SOI floating-body cell (FBC)  tunneling field-effect transistor (T-FET)  underlap   Experimental Demonstration of the High-Performance Floating-Body/Gate DRAM Cell for Embedded Memories 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 743-745 Wu, QQ; Chen, J; Lu, ZC; Zhou, ZM; Luo, JX; Chai, Z; Yu, T; Qiu, C; Li, L; Pang, A; Wang, X; Fossum, JG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Electrical & Electronic