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A visible light semiconductor laser with (AlxGa1-x)0.5In0.5P crystal layers and a process for growing an (AlxGa1-x)0.5In0.5P crystal 专利  OAI收割
专利号: EP0325275A3, 申请日期: 1990-06-20, 公开日期: 1990-06-20
作者:  
GOMYO, AKIKO C/O NEC CORPORATION
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