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Method of making an ion-implanted planar-buried-heterostructure diode laser 专利  OAI收割
专利号: US5102825, 申请日期: 1992-04-07, 公开日期: 1992-04-07
作者:  
BRENNAN, THOMAS M.;  HAMMONS, BURRELL E.;  MYERS, DAVID R.;  VAWTER, GREGORY A.
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26
Ion-implanted planar-buried-heterostructure diode laser 专利  OAI收割
专利号: US5048038, 申请日期: 1991-09-10, 公开日期: 1991-09-10
作者:  
BRENNAN, THOMAS M.;  HAMMONS, BURRELL E.;  MYERS, DAVID R.;  VAWTER, GREGORY A.
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26