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上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1994 [1]
学科主题
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Nuclear [1]
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COMPARATIVE INVESTIGATION OF DAMAGE-INDUCED BY DIATOMIC AND MONOATOMIC ION-IMPLANTATION IN SILICON
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1994, 卷号: 85, 期号: 1-4, 页码: 524-527
LOHNER,T
;
TOTH,Z
;
FRIED,M
;
KHANH,NQ
;
YANG,GQ
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LU,LC
;
Zou,SC
;
HANEKAMP,LJ
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VANSILFHOUT,A
;
GYULAI,J
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提交时间:2012/03/25