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• 合肥物质科学研究院 [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2016 [2]
• 2014 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 667, 期号: 无, 页码: 352-358 作者:  Gao, Juan;  He, Gang;  Sun, Zhaoqi;  Chen, Hanshuang;  Zheng, Changyong 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/10/18 High-k Gate Dielectric  Atomic-layer-deposition  Electrical Properties  Carrier Transportation Mechanism  Incorporation   Evolution of interface chemistry and dielectric properties of HfO2/Ge gate stack modulated by Gd incorporation and thermal annealing 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 1-7 作者:  He, Gang;  Zhang, Jiwen;  Sun, Zhaoqi;  Lv, Jianguo;  Chen, Hanshuang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/09/15 Interface control and modification of band alignment and electrical properties of HfTiO/GaAs gate stacks by nitrogen incorporation 期刊论文  OAI收割 J. Mater. Chem. C, 2014, 卷号: 2, 期号: 27, 页码: 5299-5308 作者:  Gang He;  Jiangwei Liu;  Hanshuang Chen;  Yanmei Liu;  Zhaoqi Sun 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/07/12