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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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Depth profile of the tetragonal distortion in thick GaMnAs layers grown on GaAs by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
OAI收割
aip advances, AIP ADVANCES, 2012, 2012, 卷号: 2, 2, 期号: 4, 页码: 042102, 042102
作者:
Zhou SQ (Zhou, Shengqiang)
;
Chen L (Chen, Lin)
;
Shalimov A (Shalimov, Artem)
;
Zhao JH (Zhao, Jianhua)
;
Helm M (Helm, Manfred)
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提交时间:2013/03/26