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半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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共1条,第1-1条
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High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD
期刊论文
OAI收割
ieee transactions on electron devices, 2015, 卷号: 62, 期号: 5, 页码: 1456-1459
Xiangting Kong
;
Xuliang Zhou
;
Shiyan Li
;
Hudong Chang
;
Honggang Liu
;
Jing Wang
;
Renrong Liang
;
Wei Wang
;
Jiaoqing Pan
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提交时间:2016/03/23