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High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD 期刊论文  OAI收割
ieee transactions on electron devices, 2015, 卷号: 62, 期号: 5, 页码: 1456-1459
Xiangting Kong; Xuliang Zhou; Shiyan Li; Hudong Chang; Honggang Liu; Jing Wang; Renrong Liang; Wei Wang; Jiaoqing Pan
收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2016/03/23