机构

• 西安光学精密机械研究... [2]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 专利 [2]

发表日期

• 1991 [1]
• 1989 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Method of controlling dopant incorporation in high resistivity In-based compound Group III-V epitaxial layers 专利  OAI收割 专利号: US4999315, 申请日期: 1991-03-12, 公开日期: 1991-03-12 作者:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement 专利  OAI收割 专利号: US4888624, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19 作者:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26