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Process for making integrated laser/modulators 专利  OAI收割
专利号: US6172999, 申请日期: 2001-01-09, 公开日期: 2001-01-09
作者:  
JOHNSTON, JR., WILBUR DEXTER
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CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE VAPOR DE SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS DEL GRUPO III-V, A BASE DE INDIO, IMPURIFICADOS CON HIERRO. 专利  OAI收割
专利号: ES2036260T3, 申请日期: 1993-05-16, 公开日期: 1993-05-16
作者:  
WILT, DANIEL PAUL;  LONG, JUDITH ANN;  JOHNSTON, WILBUR DEXTER, JR.
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Semiconductor devices with buried heterostructure 专利  OAI收割
专利号: WO1986000172A1, 申请日期: 1986-01-03, 公开日期: 1986-01-03
作者:  
JOHNSTON, WILBUR, DEXTER, JR.;  LONG, JUDITH, ANN;  WILT, DANIEL, PAUL
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