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Role of Interface Induced Gap States in Polar AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) Schottky Diodes 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 50, 期号: 6, 页码: 3731-3738
作者:  
Jadhav, Aakash;  Dai, Yijun;  Upadhyay, Prashant;  Guo, Wei;  Sarkar, Biplab
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2021/12/01