机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1997 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth of GaN layers on GaAs and GaP (111) and (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 compound semiconductors 1996, 1997, 期号: 155, 页码: 259-262 Cheng TS; Foxon CT; Ren GB; Jeffs NJ; Orton JW; Novikov SV; Xin Y; Brown PD; Humphreys CJ; Halliwell M 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  GALLIUM NITRIDE