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Nitride semiconductor light emitting diode 专利  OAI收割
专利号: US20040016937A1, 申请日期: 2004-01-29, 公开日期: 2004-01-29
作者:  KACHI, TETSU;  KATO, SATORU
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Nitride semiconductor light emitting diode 专利  OAI收割
专利号: US20040016937A1, 申请日期: 2004-01-29, 公开日期: 2004-01-29
作者:  KACHI, TETSU;  KATO, SATORU
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30
Group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利  OAI收割
专利号: US5889806, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  NAGAI, SEIJI;  YAMASAKI, SHIRO;  KOIKE, MASAYOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26