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Semiconductor laser with AlInP or AlGaInP burying layer and fabrication method thereof 专利  OAI收割
专利号: EP0664592A1, 申请日期: 1995-07-26, 公开日期: 1995-07-26
作者:  KOBAYASHI, RYUJI, C/O NEC CORP.;  KOBAYASHI, KENICHI, C/O NEC CORP.;  HOTTA, HITOSHI, C/O NEC CORP.
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