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Effects of a key deep level and interface states on the performance of GaAsN solar cells: a simulation analysis 期刊论文  OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 105013(1-6)
作者:  
Han, Xiuxun;  Hwang, Jong-Ha;  Kojima, Nobuaki;  Ohshita, Yoshio;  Yamaguchi, Masafumi
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2013/12/17