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The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures 期刊论文  OAI收割
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6
作者:  
Jahn, U;  Musolino, M;  Lahnemann, J;  Dogan, P;  Garrido, SF
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2017/03/11